专注
功率芯片的设计研发
以客户为中心，以创新为驱动，以价值为导向
ABOUT US
关于我们
—
我们团队成员由国际大厂以及国内研究院多名从事功率半导体设计20年以上的专家组成，专注自主研发第三代半导体SiC的MOSFET与模块，同时于2024年研发并成功市场第七代IGBT Trench Filed功率模块，1.6μm Pitch 微沟槽工艺领先业界。
SiC MOSFET
新上市，适应多种高压和高温的使用环境
SiC SBD
新上市，适应多种环境
应用行业
新能源车载电源
GTK 的SiC 产品具有极低的导通内阻和开关损耗……
光伏&储能逆变系统
得益于GTK 第七代IGBT 研发成功，业界领先的1.6um Pitch 微沟槽工艺制程……
IGBT
合作伙伴
